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半导体和导电原理

导体

  导电性能介于导体和绝缘体之间非离子性导电的物质。室温时其电阻率约为10-3~109欧姆·厘米。一般是固体,例如锗(Ge)、硅(Si)以及一些化合物半导体,如碲化铅(PbTe)、砷化铟(InAs)、硫化铅(PbS)、碳化硅(SiC)等。与金属材料不同,半导体中的杂质含量和外界条件的改变(如温度变化、受光照射等),都会使半导体的导电性能发生显著变化。纯度很高,内部结构完整的半导体,在极低的温度下几乎不导电,接近绝缘体。但随着温度的升高半导体的电阻迅速减小。含有少量杂质,内部结构不很完整的半导体通常可分为n型和p型两类。半导体的p-n结以及半导体同某些金属相接触的边界层,都具有单向导电或在光照下产生电势差的特性。利用这些特性可以制成各种器件,如半导体二极管、三极管和集成电路等。半导体之所以具有介于导体和绝缘体之间的导电性,是因为它的原子结构比较特殊,即其外层电子既不象导体那样容易挣脱其原子核的束缚,也不象绝缘体中的电子被原子核紧紧地束缚着。这就决定了它的导电性介于两者之间。


能带

  研究固体物理学中的一种理论。虽然所有的固体都包含大量的电子,但有的具有很好的电子导电性能,有的则基本上观察不到任何电子导电性。这一基本事实曾长期得不到解释。在能带理论的基础上,首次对为什么有导体、绝缘体和半导体的区分提出了一个理论上的说明,这是能带论发展初期的重大成就。在物理学中往往形象化地用水平横线表示电子的能量值,能量越大,线的位置越高。一定能量范围内的许多能级(彼此相隔很近)形成一条带,称为“能带”。各种晶体的能带数目及其宽度等均不相同。相邻两能带间时能量范围称为“能隙”或“禁带”,晶体中的电子不能具有这种能量。完全被电子占据的能带称为“满带”,满带中的电子不会导电;没有电子占据的带称为“空带”;部分被占据的称为“导带”,导带中的电子才能导电,价电子所占据的能带称为“价带”。能量比价带低的各能带一般都是满带。价带可以是满带也可以是导带;如在金属中是导带,所以金属能导电,在绝缘体和半导体中是满带,所以它们不能导电。但半导体很容易因其中有杂质或受外界影响(如光照、加热等),使价带中的电子数减少,或使空带中出现一些电子而成为导带,因而也能导电。

(责任编辑:化学自习室)
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