化学自习室移动版

屏蔽效应：对多电子原子中任一指定电子而言，除受核中质子正电荷Ze(e为元电荷)的引力外，还受到除自身引力以外的其他(Z－1)个电子的排斥力，这种排斥作用就像在核与指定电子之间套进了一个球壳状“屏蔽罩”，从而抵消或削弱了质子正电荷对指定电子的引力，或者说屏蔽了质子所带的部分正电荷，这种影响叫屏蔽效应。

钻穿效应：电子层数越小的电子在离原子核越近的地方出现几率越大，但在同一电子层中不同轨道上的电子钻到离原子内层的能力不同，其钻穿能力的大小依次为ns、np、nd、nf。也就是说，s电子钻穿到内层的能力要比p、d、f电子大，电子钻穿内层的程度越大，受到原子核的吸引作用越大，内层电子对它的屏蔽作用越小。这种外层电子钻到内层的作用叫做钻穿效应。指定电子被其他电子屏蔽的程度，还依赖于该电子与核的距离。距核越近，意味着“钻”得越“深”，化学上叫“钻穿效应”越强。

能级分裂：n值相同时，轨道的能级有l值决定。l值越大，能级越高。n值相同而轨道能级不同的现象叫能级分裂。例如：

E(4s)＜E(4p)＜E(4d)＜E(4f）

由于4s电子的钻穿效应较大，而3d电子的屏蔽效应越大，使得3d电子的能量略高于4s，即第三层d轨道上的电子，其能量要比第四层s轨道上电子的能量高，这种现象称为能级交错现象。同理，能级交错现象如：

能量6s＜4f＜5d＜6p。